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당사가 보유한 핵심 기술은 GaN RF 반도체 칩(Bare Die), 패키지트랜지스터(Packaged Transistor) 및 모듈(Module) 등 그 응용제품의 제조 기술로서, 당사는 국내 최초,유일 국산화에 성공한 GaN RF 반도체 칩 양산 기술을 바탕으로 칩-패키지트랜지스터-모듈의 RF 전력증폭기술의 전체 가치사슬을 수직 내재화한 국내 유일의 GaN RF반도체 전문기업입니다. 당사는 분할 설립 전인 2011년부터 국내 첨단 무기체계용 GaN PA(Power Amplifier) 기술개발 프로젝트에 참여하며 동 분야의 기술력을 축적해 왔으며, 2015년 국방과학연구소로부터 GaN RF 전력증폭소자 공정개발 사업을 수주하며 본격적으로 GaN RF 반도체 개발 및 사업화를 전개해 왔습니다. 최근 첨단무기체계 뿐만 안티드론, 이동통신 인프라, 위성 및 우주항공 등 첨단산업의 고도화 및 급성장에 따라, 기존 기술에 비해 고주파, 광대역, 고효율의 기술적 특성을 요구하여 첨단무기체계 시장에서 주로 사용되던 GaN RF 반도체가 다양한 첨단산업의 표준 솔루션으로 채택되어 그 수요가 급격히 증가하고 있습니다. GaN RF 반도체 기술이 상용화되기 전에는 수십 년간 진공관 기반의 TWTA RF 전력증폭기와 실리콘 기반의 LDMOS RF 전력증폭기를 사용해왔습니다. 그러나 GaN RF 반도체가상용화 됨과 동시에 최근 세부 시장을 막론하고 주요 수요 시스템의 성능 고도화 및 요구 성능 증가 추세가 맞물리면서, TWTA RF 전력증폭기가 가지고 있는 단점(다기능 구현 어려움, 소형화의 어려움, 내구성이 취약함, 긴 제작 납기, 유지 보수가 힘듦)과 Si LDMOS RF 전력증폭기가 가지고 있는 단점(3GHz 이상 동작 주파수에서의 성능 열화 및 낮은 전력효율)을 해결해 줄 수 있는 GaN 기반의 RF 전력증폭기가 legacy 기술들을 완벽히 대체해 나가고 있습니다.
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